3nm芯片传来新消息,台积电迈出关键一步,三星再次落后

在半导体制程的进程中,3nm是继5nm之后的下一个工艺节点,因为在5nm工艺上落后了台积电一步,三星对3nm工艺寄予厚望。

但就12月2日传来的消息来看,在3nm工艺上,台积电已经迈出关键一步,而三星再一次落后,这或许意味着三星实现“2030年超越台积电”的目标难度再次增加。

IT之家报道,有国外媒体报道称,产业链人士透露台积电的3nm制程工艺,已经进入试验性生产阶段,预计在明年四季度进行大规模的量产。

这也与台积电此前的预期基本一致,台积电CEO魏哲家曾透露,3nm制程工艺将在今年风险试产,明年下半年实现大规模量产。

再加上该产业链人士透露,台积电3nm工艺将在台积电晶圆十八厂进行试验性生产,与台积电官方公布的3nm工艺主要生产工厂一致,“台积电3nm进入实验性生产”消息的真实度很高。

反观三星,尽管官方也透露3nm工艺将在2022年实现量产,但最近一段时间却并没有传来新进展。因此,截至目前三星在3nm工艺上再次落后了台积电一步,但这也是意料之中的事情。

在3nm工艺上,台积电选择了传统的Fin FET晶体管架构,而三星为了在3nm工艺上实现对台积电的超越,激进的选择了GAA晶体管技术

不可否认的是,在技术方面,对比台积电三星所采用的GAA工艺更先进。理论上来说,使用该工艺制造出的3nm芯片将具有更强的性能和更低的功耗。

需要注意的是,三星3nm是芯片制造史上首次采用GAA架构,有很多技术难题需要克服。此前,三星3nm GAA工艺就被曝光面临漏电、制程排版布局不合理等问题。

台积电3nm所采用的Fin FET晶体管架构,技术相对更成熟,研发速度自然比三星更快。而且,Fin FET晶体管架构还拥有复合预期的良率表现,同时降低整体成本。

与三星3nm GAA技术相比,台积电依旧处于优势地位。因此,就目前的情况来看,在3nm工艺制程上,即便采用了新工艺,三星也很难对台积电实现弯道超车。

据台积电在官网上透露的信息可知,台积电3nm工艺代工的芯片,对比5nm工艺芯片,晶体管的理论密度将有70%的提升,运行速度则提升15%,能效提升30%

目前已经基本可以确定,苹果、英特尔将成为台积电3nm工艺的首批客户,其中苹果是台积电目前最大的客户,也是其主要营收来源,苹果选择台积电并不令人意外。

而英特尔CEO虽然此前一直在吐槽台积电,但此次也及时跟进台积电3nm工艺。12月3日消息,DiguTimes报告显示,台积电将在2023年一季度向苹果、英特尔等客户运送3nm芯片。

不过,即便强如台积电,想要实现3nm工艺制程的量产,也需要客服一些困难,例如芯片设计复杂、晶圆代工成本飙升,以及EUV光刻机采购成本增加等。

当然,台积电也制定了一系列计划改善这些问题,例如制定EUV改善计划,改良EUV光刻机设计,导入更先进的封装技术等,以争取更多客户采用台积电3nm工艺。

在11月下旬快科技曾报道,有消息称AMD和高通会转投三星3nm工艺,虽然不是全部订单,但这对台积电来说实在不是一个好消息。

对于这一传闻,台积电方面不予评价,但台积电CEO魏哲家曾表示,台积电3nm会是最具竞争力的技术。

你认为三星和台积电,谁能在这场3nm大赛中取得胜利?

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